(+84) 236 3 747 678 (ext. 11602)

Viện Nghiên cứu và Phát triển Công nghệ cao

Nhân sự

Nguyễn Ngọc Hiếu

Nguyễn Ngọc Hiếu

Số Điện thoại

+ (84) 236 3827 111

Tổng quan

Vị trí Làm việc: Ban Lãnh Đạo Viện (Nhân sự)

Học hàm/Học vị: PGS/TS

Chức vụ: Viện trưởng

Sơ yếu Lý lịch

Chức danh khoa học:Phó giáo sưLĩnh vực nghiên cứu:Vật lýTrình độ ngoại ngữ:Tiếng Anh, tiếng NgaĐịa chỉ:P1601, 03 Quang Trung, Đà Nẵng

Một số công bố tiêu biểu:

  1. Tuan V. Vu, Nguyen T. Hiep, Huynh V. Phuc, Bui D. Hoi, A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu*, Raman response, piezoelectricity, and transport properties of the two-dimensional Janus HfSiX3H (X = N/P/As) semiconductors: A first-principles study, Physical Review B 110 (2024) 235403.
  2. Nguyen T. Hiep, Cuong Q. Nguyen and Nguyen N. Hieu*, Negative Poisson's ratio and anisotropic carrier mobility in ternary Janus Si2XY (⁠ X/Y= S, Se, Te): First-principles prediction, Applied Physics Letters 123, 092102 (2023).
  3. Vu V. Tuan, Huynh V. Phuc, A. I. Kartamyshev, Nguyen N. Hieu*, Enhanced out-of-plane piezoelectricity and carrier mobility in Janus γ-Sn2XY (X /Y= S, Se, Te) monolayers: A first-principles prediction, Applied Physics Letters 122 (2023) 061601.
  4. Nguyen N. Hieu, Huynh V. Phuc, A. I. Kartamyshev, and Vu V. Tuan, Structural, electronic, and transport properties of quintuple atomic Janus monolayers Ga2SX2 (X = O, S, Se, Te): First-principles predictions, Physical Review B 105, 075402 (2022).
  5. Tuan V. Vu, Vo T. T. Vi, Huynh V. Phuc, A. I. Kartamyshev, and Nguyen N. Hieu*, Oxygenation of Janus group III monochalcogenides: First-principles insights into GaInXO (X = S, Se, Te) monolayers, Physical Review B 104, 115410 (2021).

Lý lịch khoa học

  • 2006-2009

    Học hàm/Học vị: Tiến sĩ

    Nơi đào tạo: Đại học Tổng hợp Quốc gia Belarus, Belarus

    Lĩnh vực Học thuật: Vật lý

  • 1997-2001

    Học hàm/Học vị: Cử nhân

    Nơi đào tạo: Trường Đại học Sư phạm - Đại học Huế

    Lĩnh vực Học thuật: Vật lý

  • 2018 - Nay

    Đơn vị: Viện Nghiên cứu và Phát triển Công nghệ cao

    Vị trí Làm việc: Viện trưởng

  • 2013 - 2018

    Đơn vị: Viện Nghiên cứu và Phát triển Công nghệ cao, Trường Đại học Duy Tân

    Vị trí Làm việc: Nghiên cứu viên

  • 2011 - 2012

    Đơn vị: Trường Đại học Sài Gòn

    Vị trí Làm việc: Giảng viên

  • 2010 - 2011

    Đơn vị: Đại học Bắc Carolina, Mỹ

    Vị trí Làm việc: Nghiên cứu viên sau tiến sĩ

  1. Hiếu Nguyễn Ngọc, Tuan V. Vu, Nguyen T. Hiep, Huynh V. Phuc, Bui D. Hoi, A. I. Kartamyshev. Raman response, piezoelectricity, and transport properties of the two-dimensional Janus HfSiX3H (X = N/P/As) semiconductors: A first-principles study, PHYSICAL REVIEW B - P.235403. 2024
  2. Hiếu Nguyễn Ngọc, Tuan V. Vu, Andrey I. Kartamyshev, Thi H. Ho, Huynh V. Phuc, Son-Tung Nguyen, and Chuong V. Nguyen. Unveiling Versatile Electronic Properties and Contact Features of Metal−Semiconductor Graphene/γ-Ge2SSe van der Waals Heterostructures, Langmuir - P.20783. 2024
  3. Hiếu Nguyễn Ngọc, Tuan V. Vu, Huynh V. Phuc, A. I. Kartamyshev. Enhanced out-of-plane piezoelectricity and carrier mobility in Janus c-Sn2XY (X /Y5S, Se, Te) monolayers: A first-principles prediction, Applied Physics Letters - P.061601. 2023
  4. Hiếu Nguyễn Ngọc. Negative Poisson’s ratio and anisotropic carrier mobility in ternary Janus Si2XY (X/Y = S, Se, Te): First-principles prediction, Applied Physics Letters - P.092102. 2023
  5. Hiếu Nguyễn Ngọc, Tuan V Vu, Nguyen T Hiep, Vo T T Vi, Huynh V Phuc, A I Kartamyshev. Raman activity and high electron mobility of piezoelectric semiconductor GaSiX2 (X = N, P, and As) toward flexible nanoelectronic devices, Journal of Physics D: Applied Physics - P.105309. 2025
  6. Hiếu Nguyễn Ngọc, Le T. Hoa, Le T. T. Phuong, S. S. Kubakaddi, Huynh V. Phuc. Landau levels and magneto-optical responses inWeyl semimetal quantum wells in a non-uniform magnetic field, PHYSICAL REVIEW B - P.075412. 2022
  7. Hiếu Nguyễn Ngọc. Structural, electronic, and transport properties of quintuple atomic Janus monolayers Ga2SX2 (X = O, S, Se, Te): First-principles predictions, PHYSICAL REVIEW B - P.075402 . 2022
  8. Hiếu Nguyễn Ngọc, Tuan V. Vu. Novel Janus group III chalcogenide monolayers Al2XY2 (X/Y = S, Se, Te): first-principles insight onto the structural, electronic, and transport properties, Journal of Physics: Condensed Matter - P.115601. 2022
  9. Hiếu Nguyễn Ngọc, Tuan V. Vu, Vo T. T. Vi, Huynh V. Phuc, A. I. Kartamyshev. Oxygenation of Janus group III monochalcogenides: First-principles insights into GaInXO (X = S, Se, Te) monolayers, PHYSICAL REVIEW B - P.115410. 2021
  10. Hiếu Nguyễn Ngọc, Tran N. Bich, S. S. Kubakaddi, Le Dinh, Huynh V. Phuc. Oscillations of the electron energy loss rate in two-dimensional transition-metal dichalcogenides in the presence of a quantizing magnetic field, PHYSICAL REVIEW B - P.235417. 2021
  11. Hiếu Nguyễn Ngọc, Tuan V. Vu, Chuong V. Nguyen, Huynh V. Phuc, A. A. Lavrentyev, O. Y. Khyzhun, Nguyen V. Hieu, M. M. Obeid, D. P. Rai, Hien D. Tong. Theoretical prediction of electronic, transport, optical, and thermoelectric properties of Janus monolayers In2XO (X = S, Se, Te), PHYSICAL REVIEW B - P.085422. 2021